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IXFK100N10详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 毫欧 @ 75A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：360nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9000pF @ 25V; 功率_最大：500W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA; 供应商设备封装：TO-264AA; 包装：管件

IXFK100N25详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：100A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：27 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9100pF @ 25V; 功率_最大：560W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA; 供应商设备封装：TO-264AA; 包装：管件

IXFK102N30P详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 300V 102A TO-264; 系列：PolarHT™ HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：300V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：102A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：33 毫欧 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 4mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：224nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7500pF @ 25V; 功率_最大：700W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA; 供应商设备封装：TO-264; 包装：散装

IXFK110N07详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：70V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 55A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：480nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9000pF @ 25V; 功率_最大：500W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA; 供应商设备封装：TO-264AA; 包装：管件

IXFK120N20详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA; 系列：HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17 毫欧 @ 60A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 8mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：9100pF @ 25V; 功率_最大：560W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA; 供应商设备封装：TO-264AA; 包装：管件

IXFK120N20P详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 120A TO-264; 系列：Polar™ HiPerFET™; 制造商：IXYS; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：22 毫欧 @ 500mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 4mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：152nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6000pF @ 25V; 功率_最大：714W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-264-3，TO-264AA; 供应商设备封装：TO-264; 包装：散装

HVR2500001503FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 150K OHM METAL FILM .25W 1%
IXFJ40N30
FET - 单 IXYS TO-220-3（SMT）标片 MOSFET N-CH 300V 40A TO-220
JWM11BB2A-B
摇臂 NKK Switches 1206（3216 公制）宽（长侧）0612（1632 公制） SWITCH ROCKER SPST 10A 125V
HMC12DREI-S93
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 1206（3216 公制） CONN EDGECARD 24POS .100 EYELET
JN2DS04FK2-R
连接器，互连器件 JAE Electronics 1812（4532 公制） CONN PLUG 4POS #20 SOLDER SOCKET
J-882 PL/UNPD
箱 LMB Heeger Inc. BOX ALUMINUM: 7"X5"X3"
HSCMANN001PGAA5
压力 Honeywell Sensing and Control 8-SMD 模块 HSC HIGH ACCURACY 1% TOTAL
EBC40DRAH-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 80POS .100 R/A PCB
JWM11BC2A-H
摇臂 NKK Switches 1206（3216 公制）宽（长侧）0612（1632 公制） SWITCH ROCKER SPST 10A 125V
HVR2500001583FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 158K OHM METAL FILM .25W 1%
HSCMANN005PGAA5
压力 Honeywell Sensing and Control 8-SMD 模块 HSC HIGH ACCURACY 1% TOTAL
JN2DS10SL2-R
圆形 - 外壳 JAE Electronics 1812（4532 公制） CONN PLUG 10POS #22 CRIMP SOCKET
J901
配件 Staco Energy Products Company TRANSFORMER VARIABLE
EBC40DRAS-S734
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 80POS .100 R/A PCB
JWM11RA2A
摇臂 NKK Switches 1206（3216 公制）宽（长侧）0612（1632 公制） SWITCH ROCKER SPST 10A 125V

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