

IRLR024TR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 8.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR024TRL详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 8.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR024TRLPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 8.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR024TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 8.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
IRLR024TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 8.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
IRLR024TRPBF详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:14A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 8.4A,5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:18nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:870pF @ 25V
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
- 固定式 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) INDUCTOR 6.8NH 300MA 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Lattice Semiconductor Corporation 1152-BBGA,FCBGA IC FPGA 95KLUTS 1152FPBGA
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil SOT-23-6 IC OPAMP RRIO SGL 39UA SOT23-6
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC FREQ SYNTH DUAL RF 20-TSSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 4-WFBGA IC REG LDO 0.8V .15A 4-MICROSMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OP AMP CMOS 1.8V SD 10-MSOP
- 固定式 Murata Electronics North America 0402(1005 公制) INDUCTOR 82NH 150MA 0402
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS .100 EYELET
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC FREQ SYNTHESIZER DUAL 16TSSOP
- PMIC - 稳压器 - 线性 Texas Instruments 4-WFBGA IC REG LDO 1.5V .15A 4-MICROSMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP RRIO SGL 34UA 8-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OPAMP SNGL 17MHZ 1.8V SOT23-5
- 固定式 Murata Electronics North America 0603(1608 公制) INDUCTOR
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 88POS DIP .100 SLD