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IRL640STRL详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRL640STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：Digi-Reel®

IRL640STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：剪切带 (CT)

IRL640STRLPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRL640STRR详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

IRL640STRRPBF详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：17A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：180 毫欧 @ 10A，5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：D2PAK; 包装：带卷 (TR)

CVCO55BE-2560-3200
振荡器 - VCO（电压控制振荡器） Crystek Corporation 16-QFN，变式 OSC VCO 2560-3200MHZ SMD .5X.5"
HCM49-4.032MABJT
晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.032 MHZ 18PF SMD
IRL640STRLPBF
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
JB15HKP-1G
触摸 NKK Switches 9-DIP 模块 SWITCH TACT SPST-NO 0.125A 24V
ISL6520AIB-T
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
FMAC-0974-K152I
线路滤波器 Schurter Inc SC-74A，SOT-753 FMAC INPUT FLTR 3-PH 1100A SPEZ
IXTB62N50L
FET - 单 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
JMK107BJ225MA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 2.2UF 6.3V 20% X5R 0603
HCM49-4.032MABJ-UT
晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.032 MHZ 18PF SMD
JB15KH-6A
触摸 NKK Switches 9-DIP 模块 SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V
ISL6520BCBZ
PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC
IXTC102N25T
FET - 单 IXYS ISOPLUS220? MOSFET N-CH 250V ISOPLUS220
FMAD-0932-1610
线路滤波器 Schurter Inc SC-74A，SOT-753 FMAD INPUT FILTER 16A
JMK107BJ335KA-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0603（1608 公制） CAP CER 3.3UF 6.3V 10% X5R 0603
HCM49-4.032MABJ-UT
晶体 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 4.032 MHZ 18PF SMD

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