IRF9510STR 全国供应商、价格、PDF资料
IRF9510STRL详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF9510STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
IRF9510STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
IRF9510STRLPBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
IRF9510STRR详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 欧姆 @ 2.4A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 1206（3216 公制） RES 6.65K OHM 0.40W 0.1% 1206
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 3M CONN SOCKET 20POS .050" SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
- 接口 - 信号缓冲器，中继器，分配器 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC DUAL BIDIR BUS REPEATER 8SOIC
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE ZENER 500MW 4.3V SOD27
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 48-LQFP IC SYNTHESIZER LVPECL 48-LQFP
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
- TVS - 晶闸管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引线 SIDAC MC BI 140V 400A TO-92
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Thin Film 1206（3216 公制） RES 920 OHM 0.40W 0.1% 1206
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE ZENER 500MW 5.1V SOD27
- 接口 - 信号缓冲器，中继器，分配器 Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DUAL BIDIR BUS REPEAT 8-TSSOP
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LQFP IC SYNTHESIZER LVPECL 32-LQFP
- 板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 3M CONN PLUG 30POS R/A .050" GOL
- FET - 单 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
- 衰减器 Susumu 0805（2012 公制） ATTENUATOR 10 DB 50 OHM 0805 SMD
0512-67241533 
0755-82561519 
15112667855 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-82569753 
0755-83268779 
0755-82574045 
171-4729-9698 
755-83349415/ 
0755-/8321846 
13381567868 
171-4729-0036 
