IRF6611详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 27A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6611详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 27A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：带卷 (TR)
IRF6611TR1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 27A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6611TR1详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 27A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：带卷 (TR)
IRF6611TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 27A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：剪切带 (CT)
IRF6611TR1PBF详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：32A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.6 毫欧 @ 27A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.25V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4860pF @ 15V
- 功率_最大：3.9W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：DirectFET? 等容 MX
- 供应商设备封装：DIRECTFET? MX
- 包装：Digi-Reel®
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK DUPLEX UNCONN 500M
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 15PF 50V 2% T2H 0402
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 155.52 MHZ 3.3V PECL SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 15NS 64LQFP
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 57.5491 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BK SIMPLEX UNCONN 100M
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 16PF 50V 5% T2H 0402
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 International Rectifier 44-PLCC（32 引线） IC DRIVER 3-PHASE 44-PLCC
- 光纤 Avago Technologies US Inc. FIBER OPTIC CBL SIMPLEX 1=100M
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 64-LQFP IC SRAM 64KBIT 15NS 64LQFP
- 振荡器 Fox Electronics 6-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 224 MHZ 3.3V PECL SMD
- 振荡器 Fox Electronics 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC 58.9824 MHZ 3.3V HCMOS SMD
- 陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 1.2PF 50V T2H 0402
010-62962871、 
18913062888 
0755-88917652 
0755-23919407 
15914072177 
0755-89697985 
0755-83223003 
0755-83777708 
0755-82569753 
0755-22655674 
0755-82574045 
0755-83247290 
171-4729-9698 
13381567868 
171-4729-0036 
