GSOT12C-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 12V SOT23
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：12V
- 电压_击穿：13.5V
- 功率333W444：312W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 包装：Digi-Reel®
GSOT12C-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 12V SOT23
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：12V
- 电压_击穿：13.5V
- 功率333W444：312W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 包装：剪切带 (CT)
GSOT12C-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 12V SOT23
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：12V
- 电压_击穿：13.5V
- 功率333W444：312W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23-3
- 包装：带卷 (TR)
GSOT12C-HT3-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 12V LLP75-3B
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：12V
- 电压_击穿：13.5V
- 功率333W444：312W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-WDFN
- 供应商器件封装：LLP75-3B
- 包装：剪切带 (CT)
GSOT12C-HT3-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 12V LLP75-3B
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：12V
- 电压_击穿：13.5V
- 功率333W444：312W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-WDFN
- 供应商器件封装：LLP75-3B
- 包装：Digi-Reel®
GSOT12C-HT3-GS08详细规格
- 类别：TVS - 二极管
- 描述：DIODE ESD 2LINE 12V LLP75-3B
- 系列：-
- 制造商：Vishay Semiconductor Opto Division
- 电压_反向关态（典型值）：12V
- 电压_击穿：13.5V
- 功率333W444：312W
- 极化：2 通道阵列 - 单向
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：3-WDFN
- 供应商器件封装：LLP75-3B
- 包装：带卷 (TR)
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 24V
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ESD 1LINE 3.3V SOT23
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 50V 20% X7R 1812
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 50V 20% X7R 1812
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ESD 2LINE 8V SOT23
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 120V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- 存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 165-TBGA IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 24V
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Opto Division TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ESD 1LINE 12V SOT23
- 陶瓷 Murata Electronics North America 1812（4532 公制） CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- 功率，高于 2 安 Omron Electronics Inc-IA Div RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 12V
0755-82561519 
0755-82561519 
0755-23613962 
0755-83987779 
0512-67241533 
010-62962871、 
135-34090664 
18927479189 
0755-66887761 
17302677633 
0755-82704952 
0755-23612326 
0755-82865294 
0755-83244680 
0755-82723761 
0755-82723761 
