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DS1225AD-150IND+详细规格: 类别：存储器; 描述：IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP; 系列：-; 制造商：Maxim Integrated; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：NVSRAM（非易失 SRAM）; 存储容量：64K (8K x 8); 速度：150ns; 接口：并联; 电压_电源：4.5 V ~ 5.5 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）; 供应商器件封装：28-EDIP; 包装：管件

DS1225AD-150IND+供应商

IHSM7832EB822L
固定式 Vishay Dale 非标准 INDUCTOR POWER 8200UH 0.17A SMD
IMC1812ER221K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 220UH 10% 1812
DS1225AD-150+
存储器 Maxim Integrated 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28DIP
LGY2W151MELB
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 150UF 450V 20% SNAP
GRM31MR72A683KA01L
陶瓷 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） CAP CER 0.068UF 100V X7R 1206
IDT70V659S12BFGI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-LFBGA IC SRAM 4MBIT 12NS 208FBGA
GSA 375-R
保险丝 Bel Fuse Inc 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" FUSE 375MA 250V SLOW UL CERM
IMC1812ER330K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 33UH 10% 1812
IHSM7832ER100L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 10UH 5.0A SMD
LGY2W221MELB
电容器 Nichicon 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 220UF 450V 20% SNAP
IDT70V659S12DRGI
存储器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 4MBIT 12NS 208QFP
GRM3297U2A302JZ01D
陶瓷 Murata Electronics North America 1210（3225 公制） CAP CER 3000PF 100V 5% U2J 1210
GSA.8821.B301721
RF 天线 Taoglas Limited 3AB，3AG，1/4" x 1-1/4" PENTA BAND GSM I BAR
IMC1812ER820K
固定式 Vishay Dale INDUCTOR WW 82UH 10% 1812
IHSM7832ER102L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 1000UH .51A SMD

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