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CY62127DV30L-55BVXE详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA; 系列：MoBL®; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (64K x 16); 速度：55ns; 接口：并联; 电压_电源：2.2 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：48-VFBGA; 供应商器件封装：48-VFBGA（6x8）; 包装：托盘

CY62127DV30L-55BVXET详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA; 系列：MoBL®; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (64K x 16); 速度：55ns; 接口：并联; 电压_电源：2.2 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：48-VFBGA; 供应商器件封装：48-VFBGA（6x8）; 包装：带卷 (TR)

CY62127DV30L-55ZSXE详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP; 系列：MoBL®; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (64K x 16); 速度：55ns; 接口：并联; 电压_电源：2.2 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）; 供应商器件封装：44-TSOP II; 包装：托盘

CY62127DV30L-55ZSXET详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP; 系列：MoBL®; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (64K x 16); 速度：55ns; 接口：并联; 电压_电源：2.2 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）; 供应商器件封装：44-TSOP II; 包装：带卷 (TR)

CY62127DV30LL-55BVXI详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA; 系列：MoBL®; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (64K x 16); 速度：55ns; 接口：并联; 电压_电源：2.2 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：48-VFBGA; 供应商器件封装：48-VFBGA（6x8）; 包装：托盘

CY62127DV30LL-55BVXIT详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA; 系列：MoBL®; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 异步; 存储容量：1M (64K x 16); 速度：55ns; 接口：并联; 电压_电源：2.2 V ~ 3.6 V; 工作温度：-40°C ~ 85°C; 封装/外壳：48-VFBGA; 供应商器件封装：48-VFBGA（6x8）; 包装：带卷 (TR)

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