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UMD2NTR 全国供应商、价格、PDF资料

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UMD2NTR详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS NPN/PNP 50V 30MA SOT-363
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:UMT6
包装:剪切带 (CT)

UMD2NTR详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS NPN/PNP 50V 30MA SOT-363
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:UMT6
包装:带卷 (TR)

UMD2NTR详细规格

类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述:TRANS NPN/PNP 50V 30MA SOT-363
系列:-
制造商:Rohm Semiconductor
晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极333Ic444(最大):100mA
电压_集电极发射极击穿(最大):50V
电阻器_基极333R1444(欧):22k
电阻器_发射极333R2444(欧):22k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:56 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止(最大):500nA
频率_转换:250MHz
功率_最大:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:UMT6
包装:Digi-Reel®

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