

TPS1101D详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:791mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC
- 包装:管件
TPS1101DG4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:791mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC
- 包装:管件
TPS1101DR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:791mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC
- 包装:带卷 (TR)
TPS1101DRG4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:791mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC
- 包装:带卷 (TR)
TPS1101PWR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:710mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:16-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
TPS1101PWR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.18A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 2.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:710mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:16-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
- PMIC - PFC(功率因数修正) Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC PFC CTRLR TRANSITION 16SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP RRIO QUAD 8MHZ 14TSSOP
- FET - 单 Texas Instruments 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE 8A 200V 20NS SGL TO263AB
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OP AMP RRIO 8MHZ 14SOIC
- 按钮 E-Switch TO-220-3 SWITCH PUSH SPST-NO 10A 125V
- PMIC - 热管理 STMicroelectronics SOT-23-6 IC TEMP SNSR DGTL 2.25V SOT-23-6
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE 8A 500V 25NS SGL TO263AB
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC REG CTRLR PWM CM 16-SOIC
- 二极管,整流器 - 阵列 Vishay General Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE 8A 600V 25NS DUAL TO263AB
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Microsemi SoC 484-BGA IC FPGA PIGEON POINT 484-FBGA
- PMIC - 热管理 STMicroelectronics 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC TEMP SENSOR DGTL WCHDG 8MSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP R-R I/O SGL 20MHZ 8SOIC
- 扎带 Panduit Corp TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB ULTRA-CINCH TIE, CENTER GROMMET
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 16-SSOP(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR PWM CM 16-QSOP