

TPS1100D详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:791mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC
- 包装:管件
TPS1100DG4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:791mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC
- 包装:管件
TPS1100DR详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:791mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC
- 包装:带卷 (TR)
TPS1100DRG4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:791mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC
- 包装:带卷 (TR)
TPS1100PW详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:504mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:管件
TPS1100PWG4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:15V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.27A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:180 毫欧 @ 1.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:5.45nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:504mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:管件
- 电池组 Panasonic - BSG BATTERY PACK 7.2V 180MAH NICAD
- FET - 单 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE 8A 100V 20NS SGL TO263AB
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC OPAMP RRIO DUAL 8MHZ 8MSOP
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE 8A 150V 20NS SGL TO263AB
- 单二极管/整流器 STMicroelectronics TO-220-2 全封装,隔离接片 DIODE ULT FAST 400V 8A TO220FPAC
- 电池组 Panasonic - BSG BATTERY PACK 12.0V 180MAH NICAD
- 评估演示板和套件 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) UCC28060EVM
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP RRIO QUAD 8MHZ 14TSSOP
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC OPAMP RRIO QUAD 8MHZ 14SOIC
- 单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB DIODE 8A 150V 20NS SGL TO263AB
- 单二极管/整流器 STMicroelectronics TO-220AC 整包 DIODE ULT FAST 8A 600V TO220FPAC
- 按钮 E-Switch TO-220-3 SWITCH PUSH SPST 10A 125V
- PMIC - PFC(功率因数修正) Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC PFC CTRLR TRANSITION 16SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps STMicroelectronics 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP RRIO QUAD 8MHZ 14TSSOP