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TPCF8103(TE85L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：剪切带 (CT)

TPCF8103(TE85L)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：带卷 (TR)

TPCF8103(TE85L,F)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：剪切带 (CT)

TPCF8103(TE85L,F)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：带卷 (TR)

TPCF8103(TE85L,F)详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8; 系列：-; 制造商：Toshiba; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：110 毫欧 @ 1.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 200µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：470pF @ 10V; 功率_最大：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：VS-8（2.9x1.9）; 包装：Digi-Reel®

TNPW12108K66BEEN
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 8.66K OHM 1/3W 0.1% 1210
TNPW2512300KBEEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 300K OHM 1/2W 0.1% 2512
TPCF8102(TE85L,F)
FET - 单 Toshiba 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 20V 6A VS-8
USR1C330MDD
电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 33UF 16V 20% RADIAL
US1A-13-F
单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AC，SMA DIODE ULTRA FAST GPP 50V 1A SMA
TCJB155M035R0200
钽 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP TANT 1.5UF 35V 20% 1210
US1A-TP
单二极管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AC，SMA DIODE FAST 50V 1A SMA
TCJB157M004R0070
钽 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP TANT 150UF 4V 20% 1210
TNPW2512301KBEEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 301K OHM 1/2W 0.1% 2512
USR1E100MDD
电容器 Nichicon 径向，Can CAP ALUM 10UF 25V 20% RADIAL
US1B-13
单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AC，SMA RECT ULTRA FAST SMD 100V 1A SMA
TCJB225M035R0200
钽 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP TANT 2.2UF 35V 20% 1210
US1D-E3/61T
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-214AC，SMA DIODE ULTRA FAST 1A 200V SMA
TNPW1210931RBETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 931 OHM 1/3W 0.1% 1210
TNPW2512301RBEEY
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 301 OHM 1/2W 0.1% 2512

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