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SI7434DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7434DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7434DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7434DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7434DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7434DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：155 毫欧 @ 3.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SIP21123DT-T1-E3
PMIC - 稳压器 - 线性 Vishay Siliconix SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 IC REG LDO SOT23-5L
MS27513E8B35AA
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 6POS BOX MT PIN
SML3020
灯 - 白炽灯，氖灯 JKL Components Corp. 0805（2012 公制） LAMP T1.25 TELE SLIDE L 30V .02A
SI7434DP-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK 8SOIC
MS3106F36-5P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 4 POS STRAIGHT W/PINS
SI1473DH-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET P-CH 30V SC-70-6
SR201C153KAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.015UF 100V 10% RADIAL
SIP32431DNP3-T1GE4
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Vishay Siliconix 4-UFDFN 裸露焊盘 IC SWITCH HIGH SIDE 4TDFN
SML310BATT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 428NM BLUE WTR CLR 0603 SMD
SI1539DL-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
MS3106R10SL-4P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 2 POS STRAIGHT W/PINS
SR201C153MAATR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.015UF 100V 20% RADIAL
SIP4280ADT-1-T1-E3
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 Vishay Siliconix SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 IC SW W/CTRL SLEW RATE TSOT23-6
MS27513E8B44S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS BOX MNT W/SCKT
SML-310VTT86
LED - 分立式 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） LED 650NM RED WTR CLR 0603 SMD

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