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SI5904DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI5904DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5904DC-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5904DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5904DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：Digi-Reel®

SI5904DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 3.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：剪切带 (CT)

SI3900DV-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 20V 2.0A 6-TSOP
RT16016
配件 TE Connectivity 9-LBGA ACCY HOLD DOWN SPRING DIN SCKT
RT0805BRE073K09L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 3.09K OHM 1/8W .1% SMD 0805
RTAP36BCSSD25S
旋转 C&K Components 40-WFQFN 裸露焊盘 SWITCH ROTARY BINARY 25MM PCB
RT1206BRD0734R8L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 34.8 OHM 1/4W .1% SMD 1206
SDL-128-G-10
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 56POS DUAL GOLD
SFR2500001430FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 143 OHM METL FILM .40W 1% T/
SI3909DV-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
RT16041
配件 TE Connectivity 9-LBGA CLIP RETAINER 15.7MM RP78601/602
RTB14006F
功率，高于 2 安 TE Connectivity 40-WFQFN 裸露焊盘 RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 6V
RT1206BRD0739R2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 39.2 OHM 1/4W .1% SMD 1206
SDL-128-TT-11
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 56POS DUAL TIN
SI3932DV-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N-CH 30V 6-TSOP
SFR2500001431FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 1.43K OHM METAL FILM .40W 1%
RT170P1
配件 TE Connectivity 9-LBGA RELAY ACCESSORIES

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