SUP40N10-30 全国供应商、价格、PDF资料
SUP40N10-30-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:40A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:3.75W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:带卷 (TR)
SUP40N10-30-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:38.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 15A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:2400pF @ 25V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:带卷 (TR)
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW UNIDIR 30V 5% SMC
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC
- 脉冲 AlfaMag Electronics, LLC MicroSMP INTERFACE MODULE 1:1:2:2 SMD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 28-QFN IC NVSRAM 64KBIT 35NS 28LCC
- 配件 Panduit Corp 2-SMD,无引线 HEADS FOR FULLY COATED SH
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 200V TO220AB
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW UNIDIR 30V 5% SMC
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 14-CDIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DVR QUAD NAND 14CDIP
- 配件 Panduit Corp 2-SMD,无引线 E-HEAVY METAL TIE HEAD
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 28-SOIC(0.342",8.69mm 宽) IC NVSRAM 64KBIT 25NS 28SOIC
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB,SMC TVS 1.5KW BIDIR 30V 10% SMC
- 配件 Panduit Corp 2-SMD,无引线 E-HEAVY METAL TIE HEAD
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 14-DIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DVR QUAD AND 14DIP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH D-S 60V TO220AB
- 存储器 Cypress Semiconductor Corp 32-DIP(0.600",15.24mm) IC NVSRAM 256KBIT 45NS 32DIP