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SUM110P04-04L-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 40V D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：350nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：11200pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：带卷 (TR)

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MT46V32M4TG-6T:D TR
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SUM110N04-05H-E3
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MT29F32G08FAAWP:A TR
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MT46V32M4TG-75:D
存储器 Micron Technology Inc 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC DDR SDRAM 128MBIT 66TSOP
SMBJ30HE3/52
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 600W 30V 10% SMB
MT29F4G08AACWC-ET:C TR
存储器 Micron Technology Inc 48-TSOP IC FLASH 4GBIT 48TSOP
STTC-125
尖端，喷嘴 OKI/Metcal TO-220-2 绝缘，TO-220AC TIP REPL .04" 30DG CHISEL SOLDER
STPS160A
单二极管/整流器 STMicroelectronics DO-214AC，SMA DIODE SCHOTTKY PWR 60V 1A SMA
TAP335K025SRW
钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 3.3UF 25V 10% RADIAL
MT46V32M8BG-6:GTR
存储器 Micron Technology Inc 60-FBGA IC DDR SDRAM 256MBIT 6NS 60FBGA