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SUM110N06-3M4L-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：12900pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：Digi-Reel®

SUM110N06-3M4L-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：12900pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：带卷 (TR)

SUM110N06-3M4L-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.4 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：12900pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：剪切带 (CT)

SUM110N06-3M9H-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：15800pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：剪切带 (CT)

SUM110N06-3M9H-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：15800pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：带卷 (TR)

SUM110N06-3M9H-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：110A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：300nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：15800pF @ 25V; 功率_最大：3.75W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：TO-263（D2Pak）; 包装：Digi-Reel®

SW45 BK008
螺线形绕线，伸缩套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP UV POLY 1" X 25’
T520B476M006ASE040
钽 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 47UF 6.3V 20% 1411
MS3101A32-13P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 23POS FREE HNG W/PINS
SUM110N06-3M4L-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
SI7909DN-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8
SY10E142JC
逻辑 - 移位寄存器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引线） IC SHIFT REGISTER 9-BIT 28-PLCC
MS3106R22-14SWF187
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 19 POS STRAIGHT W/SCKT
T520B476M006ATE070
钽 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 47UF 6.3V 20% 1411
SW50 BK005
螺线形绕线，伸缩套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP PVC 1/8" X 100’
SI7911DN-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET DUAL P-CH 20V 1212-8
MS3106R22-14SZ
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 19 POS STRAIGHT W/SCKT
SY10E143JC
逻辑 - 触发器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引线） IC HOLD REGISTER 9-BIT 28-PLCC
T520B476M010ATE035
钽 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 47UF 10V 20% 1411
SW50 BK008
螺线形绕线，伸缩套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP PVC 1/8" X 25’
MS3101A32-6P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 23POS FREE HNG W/PINS

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