SUD50P04-08-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.1 毫欧 @ 22A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：159nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5380pF @ 20V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：Digi-Reel®
SUD50P04-08-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.1 毫欧 @ 22A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：159nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5380pF @ 20V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50P04-08-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.1 毫欧 @ 22A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：159nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5380pF @ 20V
- 功率_最大：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：剪切带 (CT)
SUD50P04-09L-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.4 毫欧 @ 24A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4800pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50P04-13L-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 30A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3120pF @ 25V
- 功率_最大：3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50P04-13L-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 40V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫欧 @ 30A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：95nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3120pF @ 25V
- 功率_最大：78W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：剪切带 (CT)
- 连接器，互连器件 Switchcraft Inc. 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN RECEPTACLE 3POS MALE
- 钽 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP TANT 1UF 10V 20% 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.47K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 17.8K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 评估演示板和套件 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） EVAL MODULE FOR TPS2024-290
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
- 连接器，互连器件 Switchcraft Inc. 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN RECEPTACLE 3POS MALE
- 钽 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP TANT 1UF 16V 20% 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 221K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC 300MA POWER DIST SW 8-SOIC
- 钽 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP TANT 10UF 3V 10% 0603
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 4.096 MHZ 2.5V SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 31.6K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 3.32K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 评估演示板和套件 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） TPS2030EVM-290
0755-83202411 
13410941925 
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-82522939 
0755-23140719 
0755-83051566 
0512-67241533 
0755-82780082 
0755-23991909 
010-62962871、 
13528893675/1 
18927479189 
18026926850/0 
0755-23612326 
