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SUD50N06-07L-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V TO252; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：96A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：144nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5800pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

SUD50N06-07L-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：96A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：144nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5800pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：Digi-Reel®

SUD50N06-07L-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：96A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：144nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5800pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

SUD50N06-07L-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：96A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：144nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5800pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：剪切带 (CT)

SUD50N06-08H-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V TO252; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：93A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.8 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：145nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7000pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

SUD50N06-09L-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V TO252; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.3 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2650pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：Digi-Reel®

MT46V256M4TG-6T:A TR
存储器 Micron Technology Inc 66-TSSOP（0.400"，10.16mm 宽） IC DDR SDRAM 1GBIT 6NS 66TSOP
SUD50N04-8M8P-4GE3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
STT2PF60L
FET - 单 STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6
SMCJ14A-E3/57T
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS UNIDIR 1.5KW 14V 5% SMC
MSP430F249TRGCT
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 64-VFQFN 裸露焊盘 IC MCU 16BIT 60K FLASH 64-QFN
MT29F1G08ABBDAHC:D TR
存储器 Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA
SMBJ28HE3/52
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS UNIDIR 600W 28V 10% SMB
MT46V32M16BN-5B:F TR
存储器 Micron Technology Inc 60-TFBGA IC DDR SDRAM 512MBIT 5NS 60FBGA
STT3PF20V
FET - 单 STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6
MT29F1G16ABBDAHC:D
存储器 Micron Technology Inc 63-VFBGA IC FLASH NAND 1GB 63VFBGA
MSP430F2616TPNR
嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 80-LQFP IC MCU 16BIT 92K FLASH 80-LQFP
MT46V32M16BN-6:F TR
存储器 Micron Technology Inc 60-TFBGA IC DDR SDRAM 512MBIT 6NS 60FBGA
SMBJ300CA
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB DIODE TVS 300V 600W BIDIR 5% SMB
STT3PF30L
FET - 单 STMicroelectronics SOT-23-6 MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
SMCJ14CA-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB，SMC TVS BIDIRECT 1500W 14V SMC

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