SUD50N04-05L-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：115A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.4 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：135nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5600pF @ 25V
- 功率_最大：136W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N04-09H-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：85nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3700pF @ 25V
- 功率_最大：83.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N04-16P-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9.8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1655pF @ 20V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N04-37P-T4-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：37 毫欧 @ 5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 20V
- 功率_最大：10.8W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N04-8M8P-4GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V
- 功率_最大：48.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N04-8M8P-4GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 40V 50A TO-252
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.8 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：56nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 20V
- 功率_最大：48.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：Digi-Reel®
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 549 OHM 1/10W 0.1% 0603
- 矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM TIN 9POS
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 280K OHM 1/8W 0.1% 0805
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 断路器 Schurter Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CIR BRKR THRM ROCKER 240VAC
- PMIC - 稳压器 - 线性 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 1.8V 80MA SOT23-5
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 549 OHM 1/10W 0.1% 0603
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 Toshiba 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC BUFFER TRIPLE NON-INV US8
- 矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM TIN 11POS
- PMIC - 稳压器 - 线性 Microchip Technology 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC REG LDO 2.7V 80MA SC-70-5
- 断路器 Schurter Inc 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CIR BRKR THRM 15A ROCKER 240VAC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 280 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 56.2K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 Toshiba 8-VFSOP（0.091"，2.30mm 宽） IC MUX/DEMUX 1X2 US8
- 矩形- 接头，公引脚 Sullins Connector Solutions 14-DIP CONN HDR 2MM GOLD 5POS SMD
13410941925 
0755-82561519 
0755-88917652 
0755-82524712 
0755-82522939 
0512-67241533 
0755-82780082 
0755-23991909 
010-62962871、 
0755-83679110 
18926544209/1 
0755- 8251939 
0755-83244680 
