SUD50N02-04P-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：34A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 10V
- 功率_最大：8.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N02-04P-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：34A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 10V
- 功率_最大：8.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：剪切带 (CT)
SUD50N02-04P-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：34A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.3 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5000pF @ 10V
- 功率_最大：8.3W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：Digi-Reel®
SUD50N02-06-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 20V 30A TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：-
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 30A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6600pF @ 20V
- 功率_最大：100W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD50N02-06P-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2550pF @ 10V
- 功率_最大：65W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：剪切带 (CT)
SUD50N02-06P-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH D-S 20V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2550pF @ 10V
- 功率_最大：65W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：Digi-Reel®
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power * MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS BIDIR 400W 26V 10% SMA
- 尖端，喷嘴 OKI/Metcal TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TIP REPL DESOLDER ID=.06" 700SER
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 30A TO252
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 672-LBGA IC MPU PWRQUICC II 672-TBGA
- LED - 分立式 Rohm Semiconductor 1208（3020 公制） LED 3X2MM 650NM RED WTR CLR SMD
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc TO-46-2，金属罐 CONN RCPT .100" 10POS DUAL VERT
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB TVS 600W 30V UNIDIRECT SMBJ
- AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power * MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
- 尖端，喷嘴 OKI/Metcal TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 TIP REPL DESOLDER ID=.04" 800SER
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AA，SMB TVS 600W 30V BIDIRECT SMBJ
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc TO-46-2，金属罐 CONN RCPT .100" 5POS SNGL HORZ
- LED - 分立式 Rohm Semiconductor 1208（3020 公制） LED 3X2MM 528NM GRN WTR CLR SMD
- 嵌入式 - 微处理器 Freescale Semiconductor 620-BBGA 裸露焊盘 IC MPU PWRQUICC II PRO 620-PBGA
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 28V 5% SMA
13410665908 
13510131896 
0755-88917652 
021-62153656青 
0755-82569753 
19166203057 
0755-83051566 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-82533534 
0755-23051326 
0512-67241533 
010-62962871、 
021-51872165/ 
0755-83223957 
