SUD45P03-09-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：45A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.7 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 15V
- 功率_最大：2.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD45P03-09-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：45A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.7 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 15V
- 功率_最大：2.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：Digi-Reel®
SUD45P03-09-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：45A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.7 毫欧 @ 20A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2700pF @ 15V
- 功率_最大：2.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：剪切带 (CT)
SUD45P03-10-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6000pF @ 25V
- 功率_最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：带卷 (TR)
SUD45P03-10-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6000pF @ 25V
- 功率_最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：Digi-Reel®
SUD45P03-10-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 30V TO252
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：15A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6000pF @ 25V
- 功率_最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）
- 包装：剪切带 (CT)
- 钽 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP TANT 4.7UF 3V 20% 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.00K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 37.500 MHZ 3.3V SMD
- PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC .3A PWR DIST SWITCH 8-DIP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH D-S 30V DPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.0K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 钽 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP TANT 1UF 10V 10% 0603
- 连接器，互连器件 Switchcraft Inc. 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN PLUG CORD 3POS MALE MINI
- PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC 1.5A PWR DIST SWITCH 8SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 121 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 钽 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP TANT 1UF 10V 20% 0603
- 连接器，互连器件 Switchcraft Inc. 4-SMD，无引线（DFN，LCC） CONN PLUG CORD 3POS MALE MINI
- PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC 2.2A PWR DIST SWITCH 8-SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH D-S 20V DPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 1.21K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
19166203057 
0755-84507209 
0755-82542579 
171-4755-1968 
0755-83209630 
0755-83286481 
0755-83242658 
13528893675 
0755-83244680 
0755-82561519 
0755-83226745 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-22929859 
