SUD25N04-25 全国供应商、价格、PDF资料
SUD25N04-25-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
- 包装:带卷 (TR)
SUD25N04-25-T4-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 40V TO252
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:40V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:25A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:510pF @ 25V
- 功率_最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:TO-252,(D-Pak)
- 包装:带卷 (TR)
- 钽 AVX Corporation 0402(1005 公制) CAP TANT 2.2UF 6.3V 10% 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 1.0 OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 3A ROTARY 240VAC
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH D-S 60V TO252
- PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC 2.6A POWER DISTSWTCH 14-TSSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603(1608 公制) RES 4.7K OHM 1/10W 5% 0603 SMD
- 钽 AVX Corporation 0402(1005 公制) CAP TANT 4.7UF 2V 20% 0402
- 陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 1UF 50V 10% RADIAL
- 断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 50MA ROTARY 240VAC
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 100 OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 钽 AVX Corporation 0402(1005 公制) CAP TANT 4.7UF 3V 20% 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 1.00K OHM 1/8W 1% 0805 SMD
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC MEMS 37.500 MHZ 3.3V SMD
- PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 8-DIP(0.300",7.62mm) IC .3A PWR DIST SWITCH 8-DIP
- FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH D-S 30V DPAK