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SUD19N20-90-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：Digi-Reel®

SUD19N20-90-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

SUD19N20-90-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V DPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：剪切带 (CT)

SUD19N20-90-T4-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V TO252; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：19A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：90 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：51nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1800pF @ 25V; 功率_最大：3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

TRR01MZPJ515
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 5.1M OHM 1/16W 5% 0402 SMD
TA35-CZZ21
配件 Schurter Inc COVER AND COLLAR 2POLE IP65
TACH106K010RTA
钽 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP TANT 10UF 10V 10% 0805
TRR01MZPJ515
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 5.1M OHM 1/16W 5% 0402 SMD
TPS2010D
PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC 0.4A PWR DIST SWITCH 8-SOIC
SUD08P06-155L-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH 20V 8.4A DPAK
TRR01MZPJ624
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0402（1005 公制） RES 620K OHM 1/16W 5% 0402 SMD
TACH106M010FTA
钽 AVX Corporation 0805（2012 公制） CAP TANT 10UF 10V 20% 0805
TA35-CZZ31
配件 Schurter Inc COVER AND COLLAR 3POLE IP65
TPS2010DRG4
PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC 0.4A PWR DIST SWITCH 8-SOIC
TACK105M006QTA
钽 AVX Corporation 0402（1005 公制） CAP TANT 1UF 6.3V 20% 0402
TRR03EZPF1002
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 10.0K OHM 1/10W 1% 0603 SMD
TA35-CZZ31
配件 Schurter Inc COVER AND COLLAR 3POLE IP65
TRR03EZPF10R0
芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0603（1608 公制） RES 10.0 OHM 1/10W 1% 0603 SMD
SUD19P06-60-E3
FET - 单 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET P-CH D-S 60V TO252

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