STX112详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN TO-92
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 8mA，2A
- 电流_集电极截止（最大）：2mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，4V
- 功率_最大：1.2W
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
STX112-AP详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN TO-92
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 8mA，2A
- 电流_集电极截止（最大）：2mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，4V
- 功率_最大：1.2W
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92AP
- 包装：剪切带 (CT)
STX112-AP详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR DARL NPN TO-92
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444（最大）：2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 8mA，2A
- 电流_集电极截止（最大）：2mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，4V
- 功率_最大：1.2W
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92AP
- 包装：带盒（TB）
STX117-AP详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS PNP BIPO 100V 2A GP TO-92
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：PNP
- 电流_集电极333Ic444（最大）：2A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：2.5V @ 8mA，2A
- 电流_集电极截止（最大）：2mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：1000 @ 1A，4V
- 功率_最大：1.2W
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92AP
- 包装：带盒（TB）
STX13003详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN FAST SW HV TO-92
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：400V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA，1.5A
- 电流_集电极截止（最大）：1mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：8 @ 500mA，2V
- 功率_最大：1.5W
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装：TO-92-3
- 包装：散装
STX13003-AP详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANS NPN 400V 1A TO-92AP
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：1A
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：400V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA，1.5A
- 电流_集电极截止（最大）：1mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：8 @ 500mA，2V
- 功率_最大：1.5W
- 频率_转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
- 供应商设备封装：TO-92AP
- 包装：带盒（TB）
- FET - 阵列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 12V BIDIRECT SMC
- 存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH 4MBIT 80NS 48TSOP
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 IC WDT CIRCUIT SOT323-5
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 38-TSSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC MCU 16BIT 32K FLASH 38-TSSOP
- TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB DIODE TVS 24V 600W UNI 10% SMT
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC MOSFET DVR 3A HS 8SOIC
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS BIDIRECT 1.5KW 12V 10% SMC
- FET - 单 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC
- 嵌入式 - 微控制器， Texas Instruments 40-VFQFN 裸露焊盘 IC MCU 16BIT 32K FLASH 40-QFN
- TVS - 二极管 Diodes/Zetex DO-214AA，SMB TVS UNI-DIR 24V 600W SMB
- PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC MOSFET DRIVER 3A HS 8MSOP
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 12V 5% SMC
- FET - 阵列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N+P 60V 3A 8-SOIC
- 存储器 Micron Technology Inc 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） IC FLASH 4MBIT 80NS 48TSOP
0755-22655674 
0755-82561519 
18922805453 
0755-82533534 
0512-67241533 
010-62962871、 
0755-82525087 
13410941925 
0755-83242658 
0755-22929859 
0755-23995152 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-18503085 
0755-23919407 
