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STTH2L06详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE TURBOSWITCH 600V 2A DO-41; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：600V; 电流_平均整流333Io444：2A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.3V @ 2A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：85ns; 电流_在Vr时反向漏电：2µA @ 600V; 电容0a0VrwwwwF：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向; 供应商设备封装：DO-41; 包装：带盒（TB）

STTH2L06A详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE TURBOSWITCH 600V 2A SMA; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：600V; 电流_平均整流333Io444：2A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.3V @ 2A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：85ns; 电流_在Vr时反向漏电：2µA @ 600V; 电容0a0VrwwwwF：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AC，SMA; 供应商设备封装：SMA; 包装：带卷 (TR)

STTH2L06A详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE TURBOSWITCH 600V 2A SMA; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：600V; 电流_平均整流333Io444：2A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.3V @ 2A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：85ns; 电流_在Vr时反向漏电：2µA @ 600V; 电容0a0VrwwwwF：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AC，SMA; 供应商设备封装：SMA; 包装：Digi-Reel®

STTH2L06A详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE TURBOSWITCH 600V 2A SMA; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：600V; 电流_平均整流333Io444：2A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.3V @ 2A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：85ns; 电流_在Vr时反向漏电：2µA @ 600V; 电容0a0VrwwwwF：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AC，SMA; 供应商设备封装：SMA; 包装：剪切带 (CT)

STTH2L06RL详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE ULT FAST 2A 600V DO-41; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：600V; 电流_平均整流333Io444：2A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.3V @ 2A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：85ns; 电流_在Vr时反向漏电：2µA @ 600V; 电容0a0VrwwwwF：-; 安装类型：通孔; 封装/外壳：DO-204AL，DO-41，轴向; 供应商设备封装：DO-41; 包装：带卷 (TR)

STTH2L06U详细规格: 类别：单二极管/整流器; 描述：DIODE FAST 600V 2A HE SMB; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; 二极管类型：标准; 电压_333Vr444（最大）：600V; 电流_平均整流333Io444：2A; 电压_在If时为正向333Vf444（最大）：1.3V @ 2A; 速度：快速恢复 =＜ 500 ns，> 200mA（Io）; 反向恢复时间333trr444：85ns; 电流_在Vr时反向漏电：2µA @ 600V; 电容0a0VrwwwwF：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：DO-214AA，SMB; 供应商设备封装：SMB; 包装：剪切带 (CT)

MT47H64M16HR-25 IT:H
存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
MT41J64M16JT-15E:G TR
存储器 Micron Technology Inc 96-TFBGA IC DDR3 SDRAM 1GB 96FBGA
STTH20W02CW
二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-247-3 DIODE ULT FAST 200V 10A TO-247
TAP476M010SPA
钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 47UF 10V 20% RADIAL
STPS3030CG
二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE SCHOTTKY 30V 15A D2PAK
SMBJ45CA-13-F
TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AA，SMB TVS BIDIRECT 600W 45V SMB
SD101C-TR
单二极管/整流器 Vishay Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE SCHOTTKY SS 40V 30MA DO35
MT47H64M16HR-25E IT:G TR
存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
MT41J64M16LA-187E:B TR
存储器 Micron Technology Inc 96-FBGA IC DDR3 SDRAM 1GBIT 96FBGA
STPS3045CG
二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE SCHOTTKY 45V 15A D2PAK
SD101C-TR
单二极管/整流器 Vishay Semiconductors DO-204AH，DO-35，轴向 DIODE SCHOTTKY SS 40V 30MA DO35
SMBJ45CA-E3/1
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA，SMB TVS 600W 45V BIDIRECT SMB
MT47H64M16HR-25E IT:H TR
存储器 Micron Technology Inc 84-TFBGA IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84FBGA
MT41K256M8HX-187E:D
存储器 Micron Technology Inc 78-TFBGA IC DDR3L SDRAM 2GBIT 78FBGA
TAP476M016CRW
钽 AVX Corporation 径向 CAP TANT 47UF 16V 20% RADIAL

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