STS30N3LLH6详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4040pF @ 25V
- 功率_最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
STS30N3LLH6详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4040pF @ 25V
- 功率_最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
STS30N3LLH6详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 15A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4040pF @ 25V
- 功率_最大：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：剪切带 (CT)
STS3C2F100详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：N 和 P 沟道
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：145 毫欧 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：460pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
STS3DNE60L详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC
- 系列：-
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：2 个 N 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：80 毫欧 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：815pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：带卷 (TR)
STS3DPF60L详细规格
- 类别：FET - 阵列
- 描述：MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：2 个 P 沟道（双）
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：120 毫欧 @ 1.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：15.7nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：630pF @ 25V
- 功率_最大：2W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：8-SO
- 包装：Digi-Reel®
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 2.40K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics SOT-23-6 IC SUPERVISOR DUAL/TRPL SOT23-6
- FET - 阵列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 60V 3A 8-SOIC
- 固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR SHIELD PWR 22UH 6028
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 19.200 MHZ 3.3V SMD
- 红外发射器，UV 发射器 Everlight Electronics Co Ltd 2-PLCC LED IR TOP FLAT WATER CLEAR SMD
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 64.000 MHZ 2.5V SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 2.74K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics SOT-23-6 IC SUPERVISOR DUAL/TRPL SOT23-6
- 显示器模块 - LED 点阵和簇 Kingbright Corp 4-SMD，无引线（DFN，LCC） LED MATRIX 5X7 2" 565NM GRN
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD，无引线（DFN，LCC） OSC MEMS 65.000 MHZ 3.3V SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 2.80K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics SOT-23-6 IC SUPERVISOR DUAL/TRPL SOT23-6
- PMIC - 稳压器 - 线性 Microchip Technology SC-74A，SOT-753 IC REG LDO 3V 50MA SOT23A-5
0755-83202411 
0755-83244680 
0755-88917652 
0755-82574045 
0755-82522939 
0755-23140719 
0755-83987779 
0755-82170267 
0512-67241533 
010-62962871、 
13424184668 
0755-23612326 
0755-8322-538 
