STP6NK90Z详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 欧姆 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1350pF @ 25V
- 功率_最大:140W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
STP6NK90ZFP详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220FP
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:900V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2 欧姆 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:60.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1350pF @ 25V
- 功率_最大:30W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220FP
- 包装:管件
- 网络、阵列 Yageo 1206(3216 公制),凹陷 RES ARRAY 15 OHM 4 RES 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 180K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC MEMS 4.000 MHZ 1.8V SMD
- FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 950V 9A TO-220
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 128-LQFP MCU 512K FLASH 96K SRAM USB CAN
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics 6-UDFN IC SMART RESET 6UDFN
- 网络、阵列 Yageo 1206(3216 公制),凹陷 RES ARRAY 15 OHM 4 RES 1206
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC DRIVER MOSF N-CH DC/DC 8SOIC
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC MEMS 4.096 MHZ 2.5V SMD
- 通用嵌入式开发板和套件(MCU、DSP、FPGA、CPLD等) STMicroelectronics 128-LQFP KIT STARTER HITEX FULL STR7/9
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics 6-UFDFN IC SMART RESET 6UDFN
- 网络、阵列 Yageo 1206(3216 公制),凹陷 RES ARRAY 180 OHM 4 RES 1206
- PMIC - 稳压器 - 专用型 Vishay Siliconix SOT-563,SOT-666 IC H-BRIDGE DRIVER SOT666
- 振荡器 TXC CORPORATION 4-SMD,无引线(DFN,LCC) OSC MEMS 4.096 MHZ 1.8V SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 18.2K OHM 0.05% 0805 SMD