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STP60NF06详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 60A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：73nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1660pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP60NF06FP详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1810pF @ 25V; 功率_最大：30W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3 整包; 供应商设备封装：TO-220FP; 包装：管件

STP60NF06L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 60A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：66nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2000pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

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