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STP60N3LH5详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 48A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：48A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 24A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.8nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 25V; 功率_最大：60W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP60N55F3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.5 毫欧 @ 32A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2200pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP60NE06-16详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 60A TO-220; 系列：-; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：160nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6200pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP60NE06L-16详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 60A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4150pF @ 25V; 功率_最大：150W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP60NF03L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 60A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2550pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP60NF06详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 60A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：73nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1660pF @ 25V; 功率_最大：110W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

TV06B260JB-G
TVS - 二极管 Comchip Technology DO-214AA，SMB TVS 600W 26V BIDIRECTIONAL SMB
STK850
FET - 单 STMicroelectronics PolarPak? MOSFET N-CH 30V 30A POLARPAK
TPS2216ADAP
PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 32-TSSOP（0.240"，6.10mm 宽）裸露焊盘 IC DUAL PCMCIA PWR SW 32-HTSSOP
STP60NF03L
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 60A TO-220
TXB2P-032-037ND
热敏 - 散热器 CTS Thermal Management Products 12-UFQFN THERMAL LINK PRESSON NKL TO-5
STK-DIN
配件 CUI Inc PolarPak? DIN RAIL MOUNTING BRACKET
TPS2216ADAPR
PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 32-TSSOP（0.240"，6.10mm 宽）裸露焊盘 IC DUAL PCMCIA PWR SW 32-HTSSOP
ST631K
晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-225AA，TO-126-3 IC TRANS PNP LOW VOLT SOT-32
TV06B260JB-HF
TVS - 二极管 Comchip Technology DO-214AA，SMB TVS 600W 26V BIDIRECT 5% SMB
TPS2216DAPG4
PMIC - 电源分配开关 Texas Instruments 32-TSSOP（0.240"，6.10mm 宽）裸露焊盘 IC DUAL PCMCIA PWR SW 32-HTSSOP
ST6G3244MEBJR
逻辑 - 变换器 STMicroelectronics 25-UFBGA，FCBGA IC TRANSLATOR
STK-DIN
配件 CUI Inc PolarPak? DIN RAIL MOUNTING BRACKET
TV06B330J-HF
TVS - 二极管 Comchip Technology DO-214AA，SMB TVS 600W 33V UNIDIRECT 5% SMB
TXBE-032-031ND
热敏 - 散热器 CTS Thermal Management Products THERMAL LINK PRESSON NKL TO-5
STP60NH2LL
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 24V 40A TO-220

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