STP3N150详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220
- 系列：PowerMESH™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：1500V（1.5kV）
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 欧姆 @ 1.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：29.3nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：939pF @ 25V
- 功率_最大：140W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 6A ROTARY 240VAC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC OPAMP GP R-R 730KHZ 8TSSOP
- RF 评估和开发套件，板 STMicroelectronics BOARD REF DESIGN RF PWR AMP
- FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 27A TO-220
- RF 收发器 Silicon Laboratories Inc 20-VFQFN 裸露焊盘 TRANSCEIVER RF EZRADIO PRO 20QFN
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP GP R-R 220KHZ SOT23-6
- 钽 Vishay Sprague 1507（3718 公制） CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 730KHZ 14SOIC
- RF 评估和开发套件，板 STMicroelectronics RF EVAL FOR PD55008-E
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments SOT-23-6 IC OPAMP GP R-R 220KHZ SOT23-6
- 断路器 Schurter Inc CIR BRKR THRM 12A ROTARY 240VAC
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OPAMP GP R-R 730KHZ 14SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
0755-22655674 
0755-83202411 
13410941925 
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0755-82561519 
0755-88291559 
0755-82574045 
19166203057 
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0755-83231869 
0755-82533534 
18026926850/0 
