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STP200N4F3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.4毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：75nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220-3; 包装：管件

STP200N6F3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 120A TO220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫欧 @ 60A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：100nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6800pF @ 25V; 功率_最大：330W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP200NF03详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 120A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.6 毫欧 @ 60A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：140nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4950pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP200NF04详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫欧 @ 90A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：210nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5100pF @ 25V; 功率_最大：310W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP200NF04L详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：120A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.8 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6400pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

STP20N20详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO-220; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：18A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：125 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：940pF @ 25V; 功率_最大：90W; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-220-3; 供应商设备封装：TO-220AB; 包装：管件

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DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 25W
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