STD20NF06LT4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
STD20NF06LT4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
STD20NF06LT4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：660pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
STD20NF06T4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：剪切带 (CT)
STD20NF06T4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：Digi-Reel®
STD20NF06T4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：24A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 12A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：690pF @ 25V
- 功率_最大：60W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：D-Pak
- 包装：带卷 (TR)
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 500MW 3.0V SOD123
- 矩形- 接头，公引脚 Samtec Inc CONN HEADER 42POS .100" SGL GOLD
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC GATE POS-NOR QUAD 2IN 14TSSOP
- FET - 单 STMicroelectronics TO-251-3 长引线，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
- 逻辑 - 移位寄存器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引线） IC SHIFT REGISTER 9-BIT 28-PLCC
- 网络、阵列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 100K OHM 4 RES 1206
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
- 钽 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 330UF 10V 20% 2824
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC HEX INVERTER 14-SOIC
- 逻辑 - 奇偶校验发生器和校验器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引线） IC PARITY GEN/CHKER 12BIT 28PLCC
- 网络、阵列 Yageo 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 100 OHM 4 RES 1206
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor SOD-123 DIODE ZENER 500MW 3.6V SOD123
- FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
- 钽 Vishay Sprague 2824（7260 公制） CAP TANT 330UF 10V 20% 2824
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC HEX INVERTER 14-SOIC
0755-83202411 
13410941925 
0755-82561519 
13480301972 
755-83258123 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-88291559 
0755-22655674 
0755-82522939 
19166203057 
0755-23140719 
0755-83951431 
18922805453 
