STD12NM50N 全国供应商、价格、PDF资料
STD12NM50N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:940pF @ 50V
- 功率_最大:100W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
STD12NM50N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:940pF @ 50V
- 功率_最大:100W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
STD12NM50N详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:940pF @ 50V
- 功率_最大:100W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
STD12NM50ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 50V
- 功率_最大:100W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:剪切带 (CT)
STD12NM50ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 50V
- 功率_最大:100W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:带卷 (TR)
STD12NM50ND详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:380 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 50V
- 功率_最大:100W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:D-Pak
- 包装:Digi-Reel®
- 网络、阵列 Yageo 0804(2010 公制),凸起 RES ARRAY 75K OHM 4 RES 0804
- FET - 单 Diodes Inc TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 100V DPAK
- 连接器,互连器件 Omron Electronics Inc-EMC Div CONN CABLE 5M FOR E3ZS/E3FS
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 25W
- DC DC Converters Power-One 24-SIP 模块 DC/DC CONVERT 0.5-2.75V 60A
- 线性 - 音頻放大器 Analog Devices Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC AMP AUDIO 2.8W MONO D 8MSOP
- 编码器 Red Lion Controls TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1200 PPR
- RF 天线 Laird Technologies IAS 6-SMD 模块 ANT YAGI 6ELEM 380-406MHZ SILVER
- 网络、阵列 Yageo 0804(2010 公制),凸起 RES ARRAY 7.5 OHM 4 RES 0804
- 连接器,互连器件 Omron Electronics Inc-EMC Div CONN CABLE STRAIGHT 5M FOR E2FM
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 100W
- 编码器 Red Lion Controls TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 1500 PPR
- 线性 - 音頻放大器 Analog Devices Inc 9-UFBGA,WLCSP IC AMP AUDIO 3.89W MONO D 9WLCSP
- 网络、阵列 Yageo 0804(2010 公制),凸起 RES ARRAY 820 OHM 4 RES 0804
- RF 天线 Laird Technologies IAS 6-SMD 模块 ANT YAGI 3ELEM 406-430MHZ SILVER