

STB9NK60ZDT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
STB9NK60ZDT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB9NK60ZDT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
STB9NK60ZT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
STB9NK60ZT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB9NK60ZT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
- 系列:SuperMESH™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 3.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 100µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:(0pF @ 25V
- 功率_最大:125W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:Digi-Reel®
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB,SMC TVS BIDIRECT 1500W 150V SMC
- 扎带 3M RECLOSABLE FASTENR 1/2"X10YD BLK
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SUPERVISOR 5V SWITCH OVER 8SOIC
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MCU 8BIT 8K FLASH 20-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引线 RES 909 OHM 1W 1% WW 2615
- IGBT - 单路 STMicroelectronics TO-220-3 IGBT N-CHAN 600V 30A TO-220
- 存储器 Microchip Technology 48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) IC FLASH MPF+ 32MBIT 48-TSOP
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AB,SMC TVS BIDIRECT 1500W 150V SMC
- 扎带 3M HOOK PLAIN BACK 5/8" X 50YD BLK
- 嵌入式 - 微控制器, STMicroelectronics 20-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MCU 8BIT 8K FLASH 20SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引线 RES 931 OHM 1W 1% WW 2615
- 存储器 Microchip Technology 48-TFBGA IC FLASH MPF 4MBIT 70NS 48TFBGA
- IGBT - 单路 STMicroelectronics TO-220-3 IGBT N-CH 8A 600V TO-220
- 扎带 3M DUAL LOCK PLAIN 1"X1YD BLK 250
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SUPERVISOR 3V SWITCH OVER 8SOIC