STB55NF06LT4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 27.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.7V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V
- 功率_最大：95W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
STB55NF06LT4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 27.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.7V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V
- 功率_最大：95W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
STB55NF06LT4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：55A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 27.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4.7V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：37nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1700pF @ 25V
- 功率_最大：95W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
STB55NF06T4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 27.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：Digi-Reel®
STB55NF06T4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 27.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：剪切带 (CT)
STB55NF06T4详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
- 系列：STripFET™
- 制造商：STMicroelectronics
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 27.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 25V
- 功率_最大：110W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：D2PAK
- 包装：带卷 (TR)
- SCR - 单个 Vishay Semiconductors TO-200AC，B-PUK SCR PHASE CONT 800V 990A B-PUK
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 120V UNIDIRECT SMC
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 STMicroelectronics 16-QFN IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN
- 存储器 Microchip Technology 32-TFSOP（0.488"，12.40mm 宽） IC FLASH MPF 1MBIT 45NS 32TSOP
- PMIC - 监控器 STMicroelectronics SC-74A，SOT-753 IC SUPERVISOR TMR/RESET SOT23-5
- 套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO 3POS 3.5MM SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引线 RES 1.43 OHM 1W 1% WW 2615
- SCR - 单个 Vishay Semiconductors TO-200AC，B-PUK SCR PHASE CONT 1400V 990A B-PUK
- 存储器 Microchip Technology 32-LCC（J 形引线） IC FLASH MPF 2MBIT 45NS 32PLCC
- 接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 STMicroelectronics 16-QFN IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN
- 套管 - 音频 CUI Inc 6-PowerPair? CONN JACK STEREO R/A 5PIN 3.5MM
- 功率 Pulse Electronics Corporation TO-200AC，B-PUK TRANSFORMER 115V 48V 0.75A
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2615 J 形引线 RES 232 OHM 1W 1% WW 2615
- TVS - 二极管 AVX Corporation DO-214AB，SMC TVS UNIDIRECT 1500W 12V SMC
0755-83202411 
0755-82561519 
0755-88291559 
0755-23613962 
19166203057 
0755-23140719 
0755-82723761 
18922805453 
0755-84507209 
0755-82542579 
0755-82533534 
010-62962871、 
18927479189 
13424184668 
