STB20NM50-1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 550V 20A I2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:550V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1480pF @ 25V
- 功率_最大:192W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
STB20NM50FDT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
- 功率_最大:192W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
STB20NM50FDT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
- 功率_最大:192W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
STB20NM50FDT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:500V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:53nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1380pF @ 25V
- 功率_最大:192W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB20NM50T4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:550V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1480pF @ 25V
- 功率_最大:192W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB20NM50T4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 550V 20A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:550V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:20A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:250 毫欧 @ 10A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:56nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1480pF @ 25V
- 功率_最大:192W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 钽 Vishay Sprague 1206(3216 公制) CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1206
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 25V 10% X5R 1206
- 评估演示板和套件 STMicroelectronics BOARD & REF DESIGN
- SCR - 单个 Powerex Inc TO-209AB,TO-93-4,接线柱 SCR PHSE CTRL MOD 200V 175A
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
- 钽 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP TANT 15UF 15V 20% RADIAL
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BST FLYBK PWM 8SOIC
- 钽 Vishay Sprague 1206(3216 公制) CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1206
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 10UF 25V Y5V 1206
- SCR - 单个 Powerex Inc TO-209AB,TO-93-4,接线柱 SCR PHSE CTRL MOD 800V 150A
- PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 Texas Instruments 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC REG CTRLR BST FLYBK CM 14SOIC
- 钽 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向 CAP TANT 15UF 25V 20% RADIAL
- 钽 Vishay Sprague 1206(3216 公制) CAP TANT 10UF 10V 20% 1206
- 陶瓷 Taiyo Yuden 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 25V Y5V 1206
- 配件 STMicroelectronics BOARD EVAL MOD OSTAR PROJECTION