STB11NM60-1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 650V 11A I2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 25V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
STB11NM60FDT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:900pF @ 25V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
STB11NM60FDT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:900pF @ 25V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
STB11NM60FDT4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 系列:FDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:900pF @ 25V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
STB11NM60N-1详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:10A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:31nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 50V
- 功率_最大:90W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
- 供应商设备封装:I2PAK
- 包装:管件
STB11NM60T4详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
- 系列:MDmesh™
- 制造商:STMicroelectronics
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:450 毫欧 @ 5.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:30nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1000pF @ 25V
- 功率_最大:160W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC,SMA TRANSIL 600W 20V BIDIRECT SMA
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 16POS WALL MNT W/PINS
- 布线管,配线管道 Richco Plastic Co SC-74,SOT-457 WIRE DUCT SLOTTED 3.0X2.0"
- FET - 单 STMicroelectronics TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 24POS TIN WW
- 微調器 Copal Electronics Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRIMMER 10K OHM 0.25W SMD
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 16POS WALL MNT W/PINS
- TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AC,SMA TVS DIODE 600W 24V 1CH UNI SMA
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 27PF 150V 5% 0605
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 25PS GOLD WW R/A
- 微調器 Copal Electronics Inc TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRIMMER 5K OHM 0.25W SMD
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC,SMA TRANSIL 600W 24V BIDIRECT SMA
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 16POS WALL MNT W/PINS
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 2PF 150V 0605
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 1UF 50V 20% RADIAL