ST13003 全国供应商、价格、PDF资料

ST13003详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PWR NPN FAST HV SOT32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：5 @ 1A，2V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32-3

包装：管件

ST13003D-K详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN FAST HV SOT-32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 500mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：5 @ 1A，2V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32

包装：散装

ST13003DN详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PWR NPN FAST HV SOT32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 330mA，1A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：6 @ 500mA，2V

功率_最大：20W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32-3

包装：散装

ST13003-K详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 400V 1.5A SOT-32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.5V @ 500mA，1.5A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：5 @ 1A，2V

功率_最大：40W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32-3

包装：散装

ST13003N详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS NPN 400V 1A SOT-32

系列：-

制造商：STMicroelectronics

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：400V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1.2V @ 330mA，1A

电流_集电极截止（最大）：1mA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：5 @ 1A，10V

功率_最大：20W

频率_转换：-

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3

供应商设备封装：SOT-32-3

包装：散装