SSM6K202FE 全国供应商、价格、PDF资料

SSM6K202FE(TE85L,F详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH SGL 30V 2.3A ES6

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 1.5A，4V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 10V

功率_最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：ES6（1.6x1.6）

包装：剪切带 (CT)

SSM6K202FE(TE85L,F详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH SGL 30V 2.3A ES6

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 1.5A，4V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 10V

功率_最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：ES6（1.6x1.6）

包装：Digi-Reel®

SSM6K202FE(TE85L,F详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH SGL 30V 2.3A ES6

系列：-

制造商：Toshiba

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.3A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：85 毫欧 @ 1.5A，4V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 10V

功率_最大：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商设备封装：ES6（1.6x1.6）

包装：带卷 (TR)