

SS9013FBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:78 @ 50mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
SS9013FTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:78 @ 50mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
SS9013FTF详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:78 @ 50mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
SS9013GBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:112 @ 50mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
SS9013GTA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:112 @ 50mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
SS9013HBU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 20V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):20V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:144 @ 50mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 10UF 20V 10% 1411
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向 PHOTODIODE PIN 5MM 900NM RADIAL
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-VFQFN 裸露焊盘 IC BUS TRANSCEIVER 8BIT 20QFN
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN RCPT .100" 9POS TIN T/H
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
- 晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 TRANSISTOR PNP 20V 500MA TO-92
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 150UF 10V 20% 2917
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 10UF 10V 20% 1411
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 径向 - 2 引线,成形 PHOTODIODE 900NM 5MM SMD RADIAL
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 22UF 25V 10% 2917
- 二极管,整流器 - 阵列 Vishay General Semiconductor TO-277,3-PowerDFN DIODE SCHOTTKY 10A 40V SMPC
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 10UF 16V 20% 1411
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 24-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC REGISTERED TRANSCVR 24SOIC
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 OSRAM Opto Semiconductors Inc 1206(3216 公制) PHOTODIODE PIN 820NM SMD