SS9011 全国供应商、价格、PDF资料

SS9011FBU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 30MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：54 @ 1mA，5V

功率_最大：400mW

频率_转换：2MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

SS9011GBU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 30MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：72 @ 1mA，5V

功率_最大：400mW

频率_转换：2MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

SS9011HBU详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR NPN 30V 30MA TO-92

系列：-

制造商：Fairchild Semiconductor

晶体管类型：NPN

电流_集电极333Ic444（最大）：30mA

电压_集电极发射极击穿（最大）：30V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 1mA，10mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：97 @ 1mA，5V

功率_最大：400mW

频率_转换：2MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装