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SQD50N03-09-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 50A TO252; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2885pF @ 15V; 功率_最大：71W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：TO-252，（D-Pak）; 包装：带卷 (TR)

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存储器，PC 卡 SanDisk 非标准 MEMORY CARD SD 256MB
SQCB7M2R4BATME\500
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2.4PF 500V 1111