SPW20N60C3 全国供应商、价格、PDF资料
SPW20N60C3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-247
- 系列：CoolMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：20.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：190 毫欧 @ 13.1A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：114nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 25V
- 功率_最大：208W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-247-3
- 供应商设备封装：PG-TO247-3
- 包装：管件
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 162 OHM METAL FILM .40W 1%
- FET - 单 Infineon Technologies TO-247-3 MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-247
- DC DC Converters Power-One DC/DC EIGHTH BRICK
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 1.50K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 4.02K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 100V 10% RADIAL
- USB 闪存驱动器 SanDisk 模块 USB MICRO DRIVE 256MB
- 陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 47PF 500V 5% 1111
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 1.65M OHM MET FILM .40W 1%
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 4.02K OHM 1/10W .5% 0603 SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 1.74K OHM 1/4W .1% SMD 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 100V 10% RADIAL
- 存储器 - 模块 SanDisk 模块 USSD 5000 8GB SLC
- 陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 4.3PF 500V 1111
- 通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 174K OHM METAL FILM .40W 1%
0755-83202411 
0755-82561519 
13510131896 
0755-88917652 
0755-82533156 
15899765957 1 
0755-88291559 
0755-83268779 
0755-82574045 
0755-23613962 
0755-23140719 
755-83252273 
0755-83231869 
0755*83682918 
18820154873 
