SPP80N06S-08详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：187nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3660pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：PG-TO220-3
- 包装：管件
SPP80N06S2-05详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.1 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6790pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：P-TO220-3
- 包装：管件
SPP80N06S2-07详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.6 毫欧 @ 68A，10v
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 180µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4540pF @ 25V
- 功率_最大：250W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：P-TO220-3
- 包装：管件
SPP80N06S2-08详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 58A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3800pF @ 25V
- 功率_最大：215W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：P-TO220-3
- 包装：管件
SPP80N06S2-09详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 125µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3140pF @ 25V
- 功率_最大：190W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：P-TO220-3
- 包装：管件
SPP80N06S2-H5详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 230µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：P-TO220-3
- 包装：管件
- 陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 270PF 100V 10% AXIAL
- 钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 35V 10% 2917
- 钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 220UF 10V 10% 2917
- 陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 0.1UF 100V 20% AXIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
- LED - 垫片，支座 Bivar Inc LED MT SR VERT
- 陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 270PF 100V 10% AXIAL
- 钽 Kemet CAP TANT 47UF 25V 20% SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 0.1UF 100V AXIAL
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
- LED - 电路板指示器，阵列，发光条，条形图 Bivar Inc LED ASSY VERT 5MM GRN 565NM
- 陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 330PF 100V 10% AXIAL
- 钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 35V 20% 2917
- 钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 33UF 20V 10% 2917
0755-82533534 
0755-82542579 
0755-88291559 
0755-84507209 
0755-83259954 
075582788161 
13381567868 
13711580601 
19166203057 
15821228847 / 
15026993318 / 
0755-83242658 
0755-82569753 
0755-82574045 
19520735817/1 
