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SPD30N03S2L-07详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：带卷 (TR)

SPD30N03S2L-07详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：剪切带 (CT)

SPD30N03S2L-07 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：带卷 (TR)

SPD30N03S2L07T详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.7 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 85µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：68nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2530pF @ 25V; 功率_最大：136W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：带卷 (TR)

SPD30N03S2L-10详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：剪切带 (CT)

SPD30N03S2L-10详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 30A DPAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：30A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：10 毫欧 @ 30A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 50µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1550pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：带卷 (TR)

SMCJ51AHE3/9AT
TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AB，SMC TVS 1.5KW BIDIR 51V 10% SMC
SPD30N03S2L-07 G
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
MS27467T25F35J
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN PLUG 128POS STRGHT W/SKT
SQCSVA1R2BAT1A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1.2PF 250V 0603
MS27468T19F11HA
连接器，互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 11POS JAM NUT W/PINS
MS27466E11F4P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 4POS WALL MT W/PINS
SMDJ13CA
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 13V 3000W 5% BI SMD
MS27467T11F98B
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
SMCJ51A-TP
TVS - 二极管 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC TVS 1500W 51V UNIDIRECT SMC
SQCSVA1R8BAT1A
陶瓷 AVX Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 1.8PF 250V 0603
MS27468T19F11HA-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 11POS PIN
MS27466E13A98P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 10POS WALL MT W/PINS
SMDJ14
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 14V 3000W 10% UNI SMD
MS27467T11F98BC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 6POS SKT
SMCJ51CA
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AB，SMC DIODE TVS 51V 1500W BIDIR 5% SMC

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