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SPD07N60C3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：650V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：带卷 (TR)

SPD07N60C3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：650V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：剪切带 (CT)

SPD07N60C3T详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：650V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：剪切带 (CT)

SPD07N60C3T详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：650V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：Digi-Reel®

SPD07N60C3T详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：650V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3.9V @ 350µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：790pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：带卷 (TR)

SPD07N60S5详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK; 系列：CoolMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：600V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7.3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：600 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 350µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：970pF @ 25V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：PG-TO252-3; 包装：剪切带 (CT)

T491V227M010AT
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 220UF 10V 20% 2917
SPP80N06S2-H5
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
SA101E104ZAC
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 0.1UF 100V AXIAL
SPD07N60C3T
FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
SLM7905GD
LED - 电路板指示器，阵列，发光条，条形图 Bivar Inc LED ASSY VERT 5MM GRN 565NM
SA101A331KAA
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 330PF 100V 10% AXIAL
T491X476M035ZT
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 35V 20% 2917
T491V336K020AT
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 33UF 20V 10% 2917
SPP80N06S2L-07
FET - 单 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
SLMD121H8
太阳能电池 IXYS 单元 (8) SOLAR CELL
SA101A331KAR
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 330PF 100V 10% AXIAL
T491X686K020AS
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 68UF 20V 10% 2917
SA101E473ZAA
陶瓷 AVX Corporation 轴向 CAP CER 0.047UF 100V AXIAL
SP-R-0046-353-103-5%-RH
成角度，线性位置测量 Spectra Symbol TO-220-3 SENSOR SOFTPOT 10K OHM 46MM
T491V476M016ZT
钽 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 47UF 16V 20% 2917

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