

SPD04N60C3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 2.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.9V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:剪切带 (CT)
SPD04N60C3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-252
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 2.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.9V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:Digi-Reel®
SPD04N60C3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:650V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 2.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3.9V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:490pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:带卷 (TR)
SPD04N60S5详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 2.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:580pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:Digi-Reel®
SPD04N60S5详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 2.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:580pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:带卷 (TR)
SPD04N60S5详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252
- 系列:CoolMOS™
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:600V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:950 毫欧 @ 2.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):5.5V @ 200µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:22.9nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:580pF @ 25V
- 功率_最大:50W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:剪切带 (CT)
- 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SELECTOR/MUX QUAD 2-1 16-SOIC
- FET - 单 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 300 OHM 1/16W .5% SMD 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 15.4KOHM 1/10W .1% SMD 0603
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC QUAD POS-NAND GATE 14-SOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 模块 FLAT CABLE 4COND 100M
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC LINE DRVR/RCVR RS232 28-SOIC
- 逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能,可配置 Texas Instruments 6-UFDFN IC MULT-FUNC CONFIG GATE LP 6SON
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 20-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC INVERTER DUAL 4-INPUT 20TSSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603(1608 公制) RES 162K OHM 1/10W .1% SMD 0603
- 加速计 Murata Electronics North America 12-SMD 模块 ACCELEROMETER DUAL +/-2G SMD
- 逻辑 - 变换器 Texas Instruments 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC XLATR/REPEATER HS 8-SOIC
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC QUAD POS-NAND GATE 14-SOP
- 逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能,可配置 Texas Instruments 6-UFDFN IC MULT-FUNC CONFIG GATE LP 6SON
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 20-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC BUFF/DVR TRI-ST DUAL 20SSOP