SPB80N06S-08详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列：SIPMOS®
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.7 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 240µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：187nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3660pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：PG-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
SPB80N06S2-05详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：6790pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
SPB80N06S2-07详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.6 毫欧 @ 68A，10v
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 180µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：4540pF @ 25V
- 功率_最大：250W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
SPB80N06S2-08详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 58A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 150µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：96nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3800pF @ 25V
- 功率_最大：215W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
SPB80N06S2-09详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9.1 毫欧 @ 50A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 125µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：3140pF @ 25V
- 功率_最大：190W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
SPB80N06S2-H5详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 系列：OptiMOS™
- 制造商：Infineon Technologies
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.5 毫欧 @ 80A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 230µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 25V
- 功率_最大：300W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商设备封装：P-TO263-3
- 包装：带卷 (TR)
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG PLUG 12POS STRGHT PINS
- 矩形- 接头，插座，母插口 Sullins Connector Solutions 0202 CONN HDR FMAL 8POS 1MM GOLD SMD
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC 2IN POS-NAND GATE SOT-23-5
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 128POS JAMNUT PIN
- FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
- 逻辑 - 锁销 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC OCTAL D TRANSP LATCH 20-SOIC
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 15POS STRAIGHT W/PINS
- 矩形- 接头，插座，母插口 Sullins Connector Solutions 0202 CONN HDR FMAL 20PS 1MM DL AU T/H
- 逻辑 - 锁销 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC OCTAL D TRANSP LATCH 20-SOIC
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 128POS JAM NUT W/SCKT
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN PLUG 18POS STRAIGHT W/PINS
- 矩形- 接头，插座，母插口 Sullins Connector Solutions 0202 CONN HDR FMAL 40PS 1MM DL AU T/H
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC GATE POS-NAND LP 2INP SOT23-5
- 嵌入式 - 微控制器， Freescale Semiconductor * IC MCU 32BIT E300 324TEPBGA
0755-88917652 
0755-88291559 
0755-83798683 
0755-84507209 
0755-82533534 
0512-67241533 
18913062888 
0755-83242658 
13528893675 
0755-82561519 
13510131896 
0755-18503085 
15112667855 
0755-82563615 
