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SPB80N03S2-03详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：P-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

SPB80N03S2-03 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：150nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：7020pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：PG-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

SPB80N03S2L-03详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：220nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8180pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：P-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

SPB80N03S2L-03 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.8 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：220nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：8180pF @ 25V; 功率_最大：300W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：P-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

SPB80N03S2L-04详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3900pF @ 25V; 功率_最大：188W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：P-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

SPB80N03S2L-04 G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：80A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫欧 @ 80A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：105nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：3900pF @ 25V; 功率_最大：188W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB; 供应商设备封装：P-TO263-3; 包装：带卷 (TR)

VI-J4D-CW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
VI-BNB-MX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 75W
VI-B6Y-CU-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 132W
SPB80N03S2L-03
FET - 单 Infineon Technologies TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
VJ1210A430JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 43PF 1.5KV 5% NP0 1210
VI-B7M-MY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 50W
SQ48T15012-NDB0
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模块 DC/DC CONVERT 1.2V 15A
SQCB7M2R4CATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2.4PF 500V 1111
VI-J4D-CW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W
VI-B6Y-CV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 99W
VJ1210A470JXGAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 47PF 1KV 5% NP0 1210
VI-B7N-CW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 18.5V 100W
SQCB7M2R4CATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 2.4PF 500V 1111
SQ48T15015-NAC0
DC DC Converters Power-One 8-DIP 模块 DC/DC CONVERT 1.5V 15A
VI-BND-CW-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 85V 100W

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